フラッシュメモリは非揮発性のコンピューターストレージクリップで、電気的に消したり再プログラムすることができるものだ。これは EEPROM（電気的消去可能ROM）から開発されたもので、新しいデータで上書きする前にかなり大きなブロックで消さなければならない。高密度NAND タイプもまたブロックやページ単位でプログラム及び読み込みをしなければならないが、NORタイプでは1マシンワード（バイト）だけでも書き込み読み込み ができるようになっている。
NANDタイプは基本的にメモリーカード、USBフラッシュドライブ、半導体ドライブなどの製品で全般的なデータの記録と転送に使われるもの だ。NORタイプは本当のランダムアクセスが出来るものなので、直接コード実行が旧タイプのEEPROMの代替として、及びある種のROMアプリケーショ ンの代わりとして使われている。しかし、NORフラッシュメモリはマシンコードレベルでは基本的にROMと同じ動作をする；多くのデジタルデザインは他の 用途にROM構造を必要としており、フラッシュメモリよりもかなりのハイスピードで実行することがよくある。NANDやNORのフラッシュメモリは以前 EEPROMや電池式の静止RAMで実行できたタスクを多くのデジタル製品においてコンフィギュレーションデータで記録するのによく使われている。
両方のタイプのフラッシュメモリの応用例としては、パーソナルコンピューター、PDA、デジタルオーディオプレーヤー、デジタルカメラ、モバイルフォン、シンセサイザー、ビデオゲーム、科学計測、工業ロボット、メディカルエレクトロニクスなどがある。そして非揮発性であることの他にも、フラッ シュメモリは、静止RAMやROMほどではないにしてもダイナミックRAMと同じくらい迅速な読み込みアクセス時間が実現されているという特徴がある。機 械衝撃耐性によりポータブル機器のハードディスクで広く使われているのはお分かりだろう；その高い耐久性、高圧耐性、耐熱性、耐水性なども同様だ。
フラッシュメモリは技術的に分類すると、ある型のEEPROMであるが「EEPROM」という用語は一般的に不揮発性EEPROMに限定して 使用する。また、小ブロック、多くの場合はバイト単位で消去可能である。消去サイクルは遅いので、フラッシュメモリを消去するのに使われる大きなブロック サイズは、多量の書き込みをする場合、旧型のEEPROMよりもかなりスピードの点では有利となる。フラッシュメモリは現在、バイト単位でプログラム可能 なEEPROMよりも価格がずっと安くなり、メモリの型でも主流となっている。それにかなり大容量で不揮発性のソリッドステートストレージはどこでも必要 になっている。
フラッシュメモリを販売するメーカーは、国内外あわせると相当数にのぼる。BuffaloやIOデータを中心に、フリーコムなどベンチャー系も人気のブランドとして商品を展開している。